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삼성전자가 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드 플래시 메모리를 업계 최초로 양산을 시작합니다.
9세대 V낸드는 차세대 낸드 플래시 인터페이스인 Toggle 5.1*을 적용, 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했으며 PCIe 5.0 인터페이스를 지원합니다. 저전력 설계 기술도 탑재, 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선되었습니다.
삼성전자의 1Tb TLC 9세대 V낸드는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold) 두께를 구현, 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰으며 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)** 제거 기술로 셀의 평면적을 줄였을 뿐만 아니라 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용하여 품질과 신뢰성을 높였습니다.
이번 삼성전자 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수의 제품이기도 합니다. 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)*** 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성을 향상시켰습니다.
삼성전자는 이번에 양산하는 TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기에는 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정입니다.
용어 설명
* Toggle DDR
낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps, 4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원
** 더미 채널 홀 (Dummy Channel hole)
Cell Array에서 Plane을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀
*** 채널 홀 에칭몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술이다. 특히, 적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구된다.
(출처 : 삼성전자)
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